1 產品特性

 內核 

 1T51 內核，兼容標準 8051 指令集 

 內核最高工作頻率 14MHz

 存儲 

 8K 字節(jié) FLASH 程序存儲器 

 128 字節(jié) EEPROM 數據存儲器 

 IRAM 256 字節(jié)，XRAM 256 字節(jié) 

 復位與啟動 

 內置上電復位 POR 

 內置掉電復位 BOR，支持 8 檔掉電復位 1.6V~4.4V，步進 0.4V 

 時鐘

 外部 32K-20MHz 晶體振蕩器 XOSC 

 內部 16M/28MHz 高精度振蕩器 HRC （出廠校準精度<±1%，全溫工作精度 <±2%） 

 內部 16KHz 低功耗振蕩器 LRC，精度 <±10%

 調試和編程 

 單線調試，單線編程 

 工作條件 

 VDD=3.0V~5.5V@14M 

 VDD=2.5V~5.5V@8M 

 VDD=1.8V~5.5V@2M 

 工作溫度范圍 -40~85℃ 

 功耗 

 待機睡眠功耗典型功耗 [email protected] 

 [email protected] 運行功耗典型 5mA 

 端口 

 最多支持 18 個 I/O 端口，所有端口支持 獨立弱上拉和弱下拉控制，可同時開啟 上拉和下拉 

 P10-P15 支持最大灌電流 80mA，P00- P07 支持拉電流 4 檔可配置 

 支持 8 個外部中斷喚醒，可復用到 18 端口 

 外設  2 路 8 位定時器 TMR0/TMR1，可級聯 

 1 路 8 位定時器/計數器 TMR2 

 1 路 16 位定時/計數器 TMR3 

 3 組獨立 12+3 位 PWM，每組支持 2 路 互補或同相輸出(TMR3 和 PWM 可運行 在 28M 下).其中 PWM2 可配置成 CAP 捕捉模式 

 支持一路模擬比較器 

 18 通道 12 位 SAR ADC，其中 1 路通 道為 VDD/4 檢測 

 內置多檔參考電壓，校準精度 <±1.5% 

 LVD 低電壓檢測，支持對 VDD 8 檔低 電壓檢測，步進電壓為 0.4V；支持外部 管腳輸入 LVD 檢測，比較電壓 0.5V 

 1 路 IIC，支持 7 位地址主從模式 

 1 路 UART  封裝類型  TSSOP20